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PolarHV TM HiPerFET IXFR 44N50P
Power MOSFET
ISOPLUS247 TM
(Electrically Isolated Back Surface)
V DSS
I D25
R DS(on)
t rr
=
=
≤
≤
500 V
24 A
150 m ?
200 ns
N-Channel Enhancement
Avalanche Rated
Fast Intrinsic Diode
ISOPLUS247 (IXFR)
Symbol
Test Conditions
Maximum Ratings
E153432
V DSS
V DGR
T J = 25 ° C to 175 ° C
T J = 25 ° C to 175 ° C; R GS = 1 M ?
500
500
V
V
V GSM
V GSM
I D25
I DM
Transient
Continuous
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C, pulse width limited by T JM
± 40
± 30
24
132
V
V
A
A
G
D
G = Gate
S
ISOLATED TAB
D = Drain
I AR
E AR
E AS
dv/dt
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C
I S ≤ I DM , di/dt ≤ 100 A/ μ s, V DD ≤ V DSS ,
44
55
1.7
10
A
mJ
J
V/ns
S = Source
Features
P D
T J
T JM
T stg
T L
V ISOL
F C
Weight
T J ≤ 150 ° C, R G = 10 ?
T C = 25 ° C
1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s
50/60 Hz, RMS, 1 minute
Mounting Force
208
-55 ... +150
150
-55 ... +150
300
2500
20..120 / 4.5..25
5
W
° C
° C
° C
° C
V~
N/lb
g
l
l
l
l
l
International standard isolated
package
UL recognized package
Silicon chip on Direct-Copper-Bond
substrate
- High power dissipation
- Isolated mounting surface
- 2500V electrical isolation
Unclamped Inductive Switching (UIS)
rated
Low package inductance
- easy to drive and to protect
l
Fast intrinsic diode
Advantages
Symbol Test Conditions
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
Characteristic Values
Min. Typ. Max.
l
l
Easy to mount
Space savings
BV DSS
V GS(th)
I GSS
I DSS
R DS(on)
V GS = 0 V, I D = 250 μ A
V DS = V GS , I D = 4 mA
V GS = ± 30 V DC , V DS = 0
V DS = V DSS
V GS = 0 V
V GS = 10 V, I D = 22 A
T J = 125 ° C
500
2.5
5.0
± 100
25
500
150
V
V
nA
μ A
μ A
m ?
l
High power density
? 2006 IXYS All rights reserved
DS99319E(03/06)
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